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6月17日三星逆天突破！42纳米3D堆叠晶体管全球首现
【CNMO科技消息】6月17日，三星电子宣布，其半导体研发中心的研究人员在全球首次实现了栅极间距为42纳米的3D堆叠晶体管结构。
2026-06-17